计算机内存编号的含义以及计算机内存条的识别？

内存编码的意思是比如说：800指的是DDR800的，就是说内能的工作频率为800HZ

现在市场上的内存大致如下：

DDR333的，DDR400的（上述是一代的）。DDR2 533的，DDR2 667的，DDR2 800的（上述是二代的）。再就是目前的DDR 1066是三代内存

1G指内存大小 为1G

1.8V为正常工作电压

其他的参数都不重要，不需要管它

验证真假只要到该内存生产厂家的内存的识别是：不同牌子的内存看法都不一样的，我收集了一些常用品牌的内存读法供参考： DDR SDRAM： 

HYNIX DDR SDRAM颗粒编号： 

HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14 

整个DDR 

SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。 

颗粒编号解释如下： 

1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。 

2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM） 

3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & 

VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V） 

4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 

8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新） 

5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片） 

6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank） 

7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18） 

8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代） 

9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型） 

10． 

封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm）） 

11． 

封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC）） 

12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素） 

13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 

3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200） 

14． 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度）） 

由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR 

SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR200） 

注：有的编码没有那么长，但几个根本的数字还是有的 

LGS的内存可以说是目前市场上见到的最多，也是最广泛的内存了，所以LGS应该首先排第一位。 

LGS的内存编码规则： 

GM 72 X XX XX X X X X X XXX 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 

定义： 

1、GM代表LGS公司。 

2、72代表SDRAM。 

3、V代表3V电压。 

4、内存单位容量和刷新单位：其中：16：16M，4K刷新；17：16M，2K刷新；28：128M，4K刷新；64： 64M，16K刷新。65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新。 

5、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。 

6、芯片组成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK 

7、I／O界面：一般为1 

8、产品系列：从A至F。 

9、功耗：空白则是普通，L是低功 

10、封装模式：一般为T（TSOP） 

11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS（CL2），7J（10NS，CL2&3），10K（10NS[一说15NS]，PC66）， 12（12NS，83HZ），15（15NS，66HZ） 

二、HY（现代HYUNDAI） 

现代是韩国著名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大。 

HY的编码规则： 

HY 5X X XXX XX X X X X－ XX XX 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 

定义： 

1、HY代表现代。 

2、一般是57，代表SDRAM。 

3、工艺：空白则是5V，V是3V。 

4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K刷新；128：128M， 8K刷新；129：128M，4K刷新。 

5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位。 

6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK； 

7、I／O界面：一般为0 

8、产品线：从A－D系列 

9、功率：空白则为普通，L为低功耗。 

10、封装：一般为TC（TSOP） 

11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100，CL3），10：10NS，12： 12NS，15：15NS 

三、SEC（三星SAMSUNG） 

做为韩国著名的电器厂商，三星的重要性不必多说，在内存方面，三星的产量虽然不及上两者大，但是三星一直专注于高品质、高性能的产品。三星的标识不是很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，所以品种非常多，此处仅供普通SDRAM参考。 

SEC编码规则： 

KM4 XX S XX 0 X X XT－XX 

1 2 3 4 5 6 7 89 10 11 

1、KM代表SEC三星，此处编码一般均为4。 

2、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。 

3、一般均为S 

4、这个数乘以S前边的位数就是内存的容量。 

5、一般均为0 

6、芯片组成：2：2BANK，3：4BANK 

7、I／O界面：一般为0 

8、版本号 

9、封装模式：一般为T：TSOP 

10、功耗：F低耗，G普通 

11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS（CL2&3），L：10NS（CL3），10：10NS。 

四、MT（MICRON美凯龙） 

美凯龙是美国著名的计算机生产商，同时也是一家计算机设备制造商，其内存的产品闻名全美国，被广泛的机器所采用。美凯龙内存的品质优异，但价格较韩国的产品略高。 

MT48 XX XX M XX AX TG－XX X 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 

1、MT代表美凯龙MICRON 

2、48代表SDRAM。 

3、一般为LC：普通SDRAM 

4、此数与M后位数相乘即为容量。 

5、一般为M 

6、位宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位 

7、AX代表write Recovery(twr)，A2则代表twr=2clk 

8、TG代表TSOP封装模式。 

9、速度：7：7NS，75：7．5NS，8X：8NS（其中X为从A到E：读取的周期分别是：333，323，322， 222，222，所以D和E较好），10：10NS 

10、如有L则为低功耗，空白则为普通。 

五、HITACHI（日立HITACHI） 

日立是日本的著名的微电子生产厂，其内存虽然在市场上占有量不大，但品质还是不错的！ 

HM 52 XX XX 5 X X TT－ XX 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 

1、HM代表日立。 

2、52代表SDRAM，51则为EDO 

3、容量 

4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位 

5、一般为5 

6、产品系列：A－F 

7、功耗：L为低耗，空白则为普通 

8、TT为TSOP封装模式 

9、速度：75：7．5NS，80：8NS，A60：10NS（CL2&3），B60：10NS（CL3） 

六、SIEMENS（西门子） 

西门子是德国最大的产业公司，其产品包罗万向，西门子的电子产品也是欧洲最大的品牌之一（另一是PHILIPS）。西门子的内存产品多为台湾的OEM厂商制造的，产品品质还算不错。 

HYB39S XX XX 0 X T X －X 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 

1、HYB代表西门子 

2、39S代表SDRAM 

3、容量 

4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位 

5、一般为0 

6、产品系列 

7、一般为T 

8、L为低耗，空白为普通 

9、速度： 

6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS（CL2），8B：10NS（CL3），10：10NS 

七、FUJITSU（富士通FUJITSU） 

富士通是日本专业的计算机及外部设备制造商，他的内存产品主要是供应OEM商，市场上仅有少量零售产品。 

MB81 X XX XX X2 X－XXX X FN 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 

1、MB81代表富士通的SDRAM 

2、PC100标准的多为F，普通的内存为1 

3、容量 

4、位宽：4：位，8：8位，16：16位，32：32位 

5、芯片组成：22：2BANK，42：4BANK 

6、产品系列 

7、速度：60：6NS，70：7NS，80：8NS，102：10NS（CL2&3），103：10NS（CL3），100：10NS，84： 12NS，67：15NS 

八、TOSHIBA（东芝） 

东芝是日本著名的电器制造商，其在高端领域也有产品，例如计算机产品及通讯卫星等等。TOSHIBA的内存产品在市场上见到的不多。 

TC59S XX XX X FT X－XX 

1 2 3 4 5 6 7 8 

1、TC代表东芝 

2、59S代表普通SDRAM 

3、容量：64：64MBIT，128：128MBIT 

4、位宽：04：4位，08：8位，16：16位，32：32位 

5、产品系列：A－B 

6、FT为TSOP封装模式 

7、空白为普通，L为低功耗 

8、速度；75：7．5NS，80：8NS，10：10NS（CL3） 

九、MITSUBISHI（三菱） 

三菱是日本的一家汽车制造公司，因其多元化发展，所以在IT业和家电业也有产品，三菱的微集成电路技术不同一般，所以其在内存领域也占有一席之地，因为速度、品质优异，而成为INTEL的PII／PIIICPU的缓存供应商。普通SDRAM方面，因为较贵，所以市场上少见。 

M2 V XX S X 0 X TP－XX X 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 

1、M2代表三菱产品 

2、I／O界面。一般为V 

3、容量 

4、一般为S，说明是SDRAM 

5、位宽：2：4位，3：8位，4：16位 

6、一般为0 

7、产品系列 

8、TP代表TSOP封装 

9、速度： 

8A：8NS，7：10NS（CL2&3），8：10NS（CL3），10：10NS。 

10、空白为普通，L为低耗。